1:30 PM - 3:30 PM
[14p-PA1-31] Characterization of Y3Fe4GaO12thin films prepared
by metal-organic decomposition method (2)
Keywords:thin film
近年、Y3Fe5O12(YIG)薄膜は、スピンを利用したデバイスへの応用が期待され、高品質かつ磁気異方性が制御された薄膜が望まれている。これまでに我々は、有機金属分解法により垂直磁気異方性を有するYIGG薄膜をGd3Ga5O12(GGG) (111)単結晶基板上に本焼成条件(①700℃, 3 h 15 min,②720℃~800℃, 3 h 15 min)で作製できることを報告している1)。今回は、本焼成条件(①700℃, 3 h 15 min,②820℃~1000℃, 3 h 15 min)で作製し、評価した結果について報告する。