[14p-PA1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス

[14p-PA1-31] 有機金属分解法によるY₃Fe₄GaO₁₂薄膜の作製と評価(2)

〇山本 匠¹、西川 雅美¹、河原 正美²、石橋 隆幸¹ (1.長岡技科大、2.高純度化学)

キーワード：薄膜

近年、Y₃Fe₅O₁₂(YIG)薄膜は、スピンを利用したデバイスへの応用が期待され、高品質かつ磁気異方性が制御された薄膜が望まれている。これまでに我々は、有機金属分解法により垂直磁気異方性を有するYIGG薄膜をGd₃Ga₅O₁₂(GGG) (111)単結晶基板上に本焼成条件(①700℃, 3 h 15 min,②720℃～800℃, 3 h 15 min)で作製できることを報告している¹⁾。今回は、本焼成条件(①700℃, 3 h 15 min,②820℃～1000℃, 3 h 15 min)で作製し、評価した結果について報告する。