[14p-PA1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス

[14p-PA1-38] スピンホール磁気抵抗を用いたLaO のスピンパラメータの導出

〇神永 健一¹、岡 大地²、岡 博文¹、福村 知昭^1,2,3,4 (1.東北大WPI-AIMR & CRC、2.東北大院理、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

キーワード：スピントロニクス、スピンホール磁気抵抗、希土類単酸化物

前回、我々は、キュリー温度69 K の強磁性絶縁体であるEuO を下部層とした、清浄で急峻な接合界面をもつ岩塩型LaO/EuOヘテロエピタキシャル薄膜において、スピンホール磁気抵抗(SMR)の観測を報告した。酸化物ヘテロ接合におけるSMRの観測は、これが初である。今回、SMRのLaO層の膜厚依存性からLaOのスピンパラメータを導出したので報告する。