[14p-PA1-1~74] 10 Spintronics and Magnetics

[14p-PA1-39] Study of spin relaxation in n⁺-Si channel layers

〇Mizue Ishikawa¹, Kohei Hamaya² (1.Nihon Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:spin-MOSFET, spin relaxation

次世代半導体デバイスとして期待されるSiスピンMOSFETを実現するためには、ソース・ドレイン構造に用いられる縮退系n⁺-Si中でのスピン伝導特性を理解し、高性能化への指針を掴まなければならない。Si中でのスピン緩和機構は、これまでElliott-Yafet (EY)機構が支配的と考えられてきたが、近年、フォノンやドナー不純物に起因する伝導帯の谷間スピン散乱の影響を議論した新理論が提唱されており、EY機構だけでは説明できないことが示唆されている。本研究では、これまでの研究から大きなスピン信号が得られているCoFe/MgO/n⁺-Si横型スピンバルブ微細素子を用いて、n⁺-Si中でのスピン緩和について議論する。