[14p-PA1-1~74] 10 Spintronics and Magnetics

[14p-PA1-42] Fabrication of MTJs using (001)-oriented FeAlSi electrode

〇(M1)Shoma Akamatsu¹, Oogane Mikihiko¹, Tsunoda Masakiyo¹, Ando Yasuo¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Spintronics, MTJ sensor, Sendust

強磁性トンネル接合(MTJ)磁気センサの高感度化のために、高トンネル磁気抵抗(TMR)比と軟磁気特性とを両立するフリー層材料が求められている。本研究では、 ₃規則構造において軟磁気特性を示す FeAlSiに着目した。B2以上の規則構造を有する、(001)配向膜の作製に成功し、また室温下においてTMR効果の観測に成功したことで、FeAlSi薄膜によるMTJセンサ高感度化の可能性が示された。