[14p-PA2-1~86] 2 Ionizing Radiation

△ [14p-PA2-72] Characteristic Evaluation of pn Junction Type CdTe Diode X-ray Imaging Detector

〇Mamoru Hayakawa¹, Junichi Nishizawa^1,3, Kensuke Kambe¹, Katsuyuki Takagi^2,3, Toru Aoki^1,2,3 (1.Shizuoka Univ., 2.RIE Shizuoka Univ., 3.ANSeeN inc.)

Keywords:radiation detector, semiconductor, CdTe

我々はX線画像検出素子の開発のために、レーザードーピングを用いたpn接合型CdTeダイオードの形成を行った。オーミック型と異なりピクセル分離のためのパターンドーピングを行うため、本研究ではフォトリソグラフィ、リフトオフによってピクセル状にドーパント材を形成した。その後レーザードーピングによるpn接合を形成し、画像検出素子としての特性評価を行い、ガンマ線エネルギースペクトル評価とX線透過像撮像を行った。