[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-1] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW埋込レーザ構造の室温発振特性

〇対馬 幸樹¹、韓 旭¹、石崎 隆浩¹、松浦 正樹¹、白井 琢人¹、澁川 航大¹、藤原 啓太¹、佐藤 元就¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．従来では，GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザの集積を行った後に，ハイメサ構造の作製を行うことでしきい値電流値の低減を実現させた.今回，散乱損失の低下と熱の拡散を狙い，ハイメサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にi-InPを堆積させ，埋込レーザ構造を作成した．