[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-11] InAs/GaAs量子ドット混晶化におけるイオン注入条件の検討

〇平石 優¹、伊藤 大誠¹、權 晋寛²、松島 裕一¹、石川 浩¹、荒川 泰彦²、宇髙 勝之¹ (1.早稲田大学、2.東京大学ナノ量子機構)

キーワード：組成混晶化技術、量子ドット、アニール

データセンタ内ネットワーク用光源として、低閾値電流、温度安定性等に優れた1300nm帯の変調器集積InAs量子ドットレーザ(QD-LD)の実現を目指している。そのためにQDウエハにイオン注入 とアニールによる量子ドット組成混合(QDI)技術を検討してきた。今回はイオン注入角度やドーズ量がPLスペクトルに与える影響を検討したので報告する。