[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-2] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP 歪MQW レーザの発振特性

〇石崎 隆浩¹、韓 旭¹、松浦 正樹¹、対馬 幸樹¹、白井 琢人¹、藤原 啓太¹、佐藤 元就¹、澁川 航大¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

近年、情報伝送量が爆発的に増加し光インターコネクションの実現が望まれる。そのためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。我々の研究室ではInP薄膜とSi基板を直接貼り付けした基板上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上圧縮歪MQWレーザの発振特性について述べる。