[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-4] 直接貼付InP/SiO₂/Si基板上表面二電極構造MQW レーザの発振特性

〇韓 旭¹、松浦 正樹¹、対馬 幸樹¹、石崎 隆浩¹、白井 琢人¹、下村 和彦¹ (1.上智大理)

キーワード：InP/SiO2/Si substrate、MQW、LD

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた[1,2]。今回，Si基板上にMQWレーザの集積を行い，表面二電極構造を作製して、発振したレーザの発振特性の評価を行ったのでその結果を報告する。