[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-7] 電荷増倍機能を有する結晶セレン膜積層型8K撮像デバイスの暗電流低減に向けた電子ブロッキング層の導入

〇為村 成亨¹、峰尾 圭忠¹、新井 俊希¹、渡部 俊久¹、宮川 和典¹、久保田 節¹、西本 啓介²、杉山 睦²、難波 正和¹ (1.NHK技研、2.東理大)

キーワード：8K撮像デバイス、結晶セレン、酸化ニッケル

撮像デバイスでは、画素の微細化による１画素あたりの入射光量の減少に伴う感度低下が課題であった。我々は結晶セレン膜を回路上に積層した高感度撮像デバイスの開発を目指している。これまで高電界時の外部電極からの電子注入が暗電流増加の要因であった。今回、酸化ニッケルを電子ブロッキング層として導入した8K撮像デバイスを作製し、増倍時の暗電流が1/30以下に低減し、明瞭な増倍画像を得ることができたので報告する。