[14p-PB4-1~22] 8 Plasma Electronics

[14p-PB4-11] Effect of Irradiation Spectrum on Electron Emission of Al_xGa_1-xN/6H-SiC

〇Takeshi Ito¹, Shota Uchida¹, Shigeya Kimura², Hisashi Yoshida², Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:Thermionic Emission, Nitride Semiconductor, AlGaN

SiドープAl_xGa_1-xN/6H-SiCの電子放出特性向上とデバイス応用を目的とし、表面に白色光を照射したときの電子放出特性を評価した。Cs吸着により最表面の電子親和力が減少し、400℃程度の低温度で電子放出が観測された。光源に光学フィルターを設置したことで、6H-SiCのバンドギャップに相当する波長の光が電流増減に寄与していることを示した。ここから6H-SiCで光励起された電子がAlGaNへ拡散し、電子親和力が低減した表面から電子放出に至ったと考えられる。