The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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8 Plasma Electronics » 8 Plasma Electronics(Poster)

[14p-PB4-1~22] 8 Plasma Electronics

Sat. Mar 14, 2020 1:30 PM - 3:30 PM PB4 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[14p-PB4-21] Laser-Ellipsometry Monitoring of First Stages of Graphene Growth

Yasuaki Hayashi1,2,3, Akito Nonomura1, Akio Sanpei1 (1.Kyoto Inst. Technol., 2.Yamato Univ., 3.Chubu Univ.)

Keywords:graphene, ellipsometry, plasma CVD

グラフェンを非金属基板上に直接成長するとき核発生段階をモニタリングする計測技術が必要となり、表面状態変化を極めて敏感に測定できるレーザーエリプソメトリを利用することを提案している。グラフェンの成長にマグネトロンプラズマCVD装置を用い、原料ガスにCH4とH2を、基板にSi上SiO2薄膜(膜厚110nm)を用いた。エリプソメトリによるモニタリングの結果、グラフェンの成長には、約1600秒の核発生誘導期間があり、核発生開始の時点で特徴的な変化をしていることが分かった。