[14p-PB7-1~29] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[14p-PB7-14] カルボキシエチルホスフィンを配位子とするCuI 錯体の発光特性

〇高澤 頼昌¹、南山 知花¹、阪田 知巳¹ (1.城西大)

キーワード：銅(I)錯体、メカノクロミズム

OLED用発光材料として一価の銅を用いたホスフィン錯体が精力的に研究されている。特に、CuIPPh₃は機械的刺激によってCu₄I₄クラスター構造が変化することで極大発光波長がレッドシフトすることが報告されている。本研究ではPPh₃の一つのフェニル基をカルボキシエチル基にかえたCuI(Hdppa) 錯体に注目し、その発光特性について検討したので結果を報告する。