2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年3月14日(土) 16:00 〜 18:00 PB8 (第1体育館)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-4] n-Ru2Si3/p-Si pn 接合素子における光応答特性の評価

西 大樹1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:シリサイド

これまで我々は,固相成長法により低電子密度(~1016 cm-3)かつ高移動度(~940 cm2/V∙s),の多結晶Ru2Si3薄膜を作製し,1.5−4.0 eV の入射光に対して大きな吸収係数(α > 105cm-1)を示すことを明らかにした[1].n-Ru2Si3/p-Si 基板のpn 接合試料の光応答評価では,n-Si/p-Si pn 接合試料に対して約4 倍(at 1.3 eV)の光応答信号を示すことも明らかにした[2].本研究では,n-Ru2Si3/p-Si pn接合素子の電流-電圧(I-V)および光応答特性を低温で評価したので報告する.