[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-PB8-4] n-Ru₂Si₃/p-Si pn 接合素子における光応答特性の評価

〇西 大樹¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：シリサイド

これまで我々は，固相成長法により低電子密度(~10¹⁶ cm^-3)かつ高移動度(~940 cm²/V∙s)，の多結晶Ru₂Si₃薄膜を作製し，1.5−4.0 eV の入射光に対して大きな吸収係数(α > 10⁵cm^-1)を示すことを明らかにした[1]．n-Ru₂Si₃/p-Si 基板のpn 接合試料の光応答評価では，n-Si/p-Si pn 接合試料に対して約4 倍（at 1.3 eV）の光応答信号を示すことも明らかにした[2]．本研究では，n-Ru₂Si₃/p-Si pn接合素子の電流－電圧(I-V)および光応答特性を低温で評価したので報告する．