[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-PB8-7] 陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射ZnO中空孔型欠陥の光応答性観測

〇(DC)中島 諒^1,2、木野村 淳¹、薮内 敦¹、栗山 一男³ (1.京大複合研、2.京大院工、3.法政大)

キーワード：酸化亜鉛、ワイドギャップ酸化物半導体、発光ダイオード

ワイドギャップ化合物半導体ZnOは次世代の高機能半導体材料として，実用化に向けた研究開発が進んでいる．しかし光照射により誘起される永続的光伝導（PPC）に関与する欠陥の起源について，従来の評価分析法では十分な情報を得られていない．本研究ではPPCのモデルとして提唱されているZungerらのモデルに対応した実験として，低温下で電子スピン共鳴と陽電子消滅寿命測定による空孔型欠陥の青色LEDと赤色LED照射に対する応答性を調べた．