[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-PB8-8] InGaZnO₄単結晶の熱的性質

〇加瀬 直樹¹、小林 祐樹¹、田中 佑典¹、藤井 武則²、宮川 宣明¹ (1.東理大理、2.東大低温センター)

キーワード：透明半導体、IGZO

IGZOの基礎物性については、Znの蒸気圧が高いことなどから大型単結晶育成が困難であるため、未解明の部分が多く研究の発展を妨げていた。しかし、我々の研究グループでは9気圧下におけるFloating Zone (FZ)法によって初めてInGaZnO₄ (IGZO-11)の大型単結晶の育成に成功した。そこで我々は、この大型単結晶を用いて未知の物性であるInGaZnO₄の熱物性を明らかにするために、比熱、熱伝導率、ゼーベック効果の測定を行ったのでその結果について報告する。