[15a-A202-1~8] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15a-A202-3] Thin film growth of CaSi₂ and CaGe₂ by close-spaced evaporation

〇Kosuke Hara¹, Shuhei Takizawa¹, Junji Yamanaka², Masashi Kurosawa^3,4, Keisuke Arimoto¹ (1.CCST, Univ. of Yamanashi, 2.CIA, Univ. of Yamanashi, 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:thermal evaporation, layered material

CaSi₂、CaGe₂は、結晶構造中にそれぞれSi、Geの層状構造を有しており、層状物質シリセン、ゲルマネンの前駆体として注目されている。本研究では、近接蒸着による新たな成膜法について調査を行った。その結果、それぞれSi(111)、Ge(111)基板上に、(0001)配向したCaSi₂、CaGe₂薄膜の作製に成功した。