[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15a-A302-1] Estimation of Internal Quantum Efficiency in InGaN Quantum-Well based Light-Emitting Diodes by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements

〇Keito Mori¹, Yuchi Takahashi¹, Yuya Morimoto¹, Atsushi Yamaguchi¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech.)

Keywords:InGaN, Internal Quantum Efficiency, Photoacoustic

私たちは光音響(PA)・発光(PL)同時計測法により，内部量子効率(IQE)を推定する方法を提案しており，過去に，この手法を用いてGaN試料とInGaN量子井戸(QW)試料のIQEを推定し，妥当な結果を得ている．
本研究では，PA・PL同時計測法の妥当性を確認するための手段の一つとして，高いIQEを持つとされている，市販のInGaN QW発光ダイオードに対して，本手法によりIQE推定を行った．推定されたIQEは，青色，緑色はそれぞれ，最大で70%, 40%程度であり，比較的高いことがわかった．