[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A302-12] Spatially resolved cathodoluminescence study of c-plane AlInN films on a GaN substrate

〇Liyang Li¹, Kohei Shima¹, Mizuki Yamanaka², Kazunobu Kojima¹, Takashi Egawa², Tetsuya Takeuchi³, Makoto Miyoshi², Shigefusa F. Chichibu^1,4 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Meijo Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Spatially resolved cathodoluminescence, AlInN, localization

AlNとInNは非混和系であり表面が平滑で組成が均一なAlInN薄膜を得ることは容易ではない。三好らは、GaN基板を用い、GaNと格子整合し、平滑なc面AlInN薄膜の有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)成長に成功してきた。一方、InNモル分率の低いAlInNは通常、数百meVのストークスシフトおよびエネルギー広がりを有する発光(便宜上Extended States (EXS)と呼ぶ)を呈する。本講演では、GaN基板上c面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)評価を行い、AlInNが呈するEXS発光の起源について考察した結果を報告する。