[15a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-A302-12] GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

〇李 リヤン¹、嶋 紘平¹、山中 瑞樹²、小島 一信¹、江川 孝志²、竹内 哲也³、三好 実人²、秩父 重英^1,4 (1.東北大多元研、2.名工大、3.名城大、4.名大IMaSS)

キーワード：空間分解陰極線ルミネッセンス、窒化アルミニウムインジウム、局在化

AlNとInNは非混和系であり表面が平滑で組成が均一なAlInN薄膜を得ることは容易ではない。三好らは、GaN基板を用い、GaNと格子整合し、平滑なc面AlInN薄膜の有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)成長に成功してきた。一方、InNモル分率の低いAlInNは通常、数百meVのストークスシフトおよびエネルギー広がりを有する発光(便宜上Extended States (EXS)と呼ぶ)を呈する。本講演では、GaN基板上c面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス(SRCL)評価を行い、AlInNが呈するEXS発光の起源について考察した結果を報告する。