[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A302-3] Effect of InGaN underlyaer on emission intensity of InGaN/GaN quantum well

〇Rei Kawamura¹, Naoya Iwasaki², Yuki Inomata¹, Narihito Okada¹, Satoshi Kurai¹, Yoichi Yamada¹, Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Grad. School of Sci. & Eng. for Innovation, Yamaguchi Univ, 2.Department of Eng. Yamaguchi Univ.)

Keywords:MOVPE, Super lattice, InGaN/GaN MQW

InGaN/GaN LEDの高効率化には、発光層直下にInGaN/GaN超格子を用いることが有効である。超格子構造は、点欠陥の伝搬抑制や歪緩和、ポテンシャルバリアによる非輻射再結合の抑制など様々な効果が報告されている。なかでも、超格子構造を挿入することによる特にInGaNを含むことによる点欠陥の伝播抑制効果であることは以前明らかにした。しかし、数ある効果をさらに切り離して評価することは困難であり、超格子構造を用いることによる様々な効果の詳細な割合は未解明である。そこで今回我々は、GaN上に単一量子井戸（SQW）を成長させることにより、非常に薄膜なInGaNが発光に与える影響に着目した研究を行ったので報告する。