[15a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-A302-3] InGaN下地層がInGaN/GaN量子井戸の発光強度に与える影響

〇河村 澪¹、岩崎 直矢²、猪股 祐貴¹、岡田 成仁¹、倉井 聡¹、山田 陽一¹、只友 一行¹ (1.山口大学院創成科学研究科、2.山口大学工学部)

キーワード：有機金属化合物成長、超格子構造、InGaN/GaN 多重量子井戸

InGaN/GaN LEDの高効率化には、発光層直下にInGaN/GaN超格子を用いることが有効である。超格子構造は、点欠陥の伝搬抑制や歪緩和、ポテンシャルバリアによる非輻射再結合の抑制など様々な効果が報告されている。なかでも、超格子構造を挿入することによる特にInGaNを含むことによる点欠陥の伝播抑制効果であることは以前明らかにした。しかし、数ある効果をさらに切り離して評価することは困難であり、超格子構造を用いることによる様々な効果の詳細な割合は未解明である。そこで今回我々は、GaN上に単一量子井戸（SQW）を成長させることにより、非常に薄膜なInGaNが発光に与える影響に着目した研究を行ったので報告する。