[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A302-4] Fabrication and evaluation of longer wavelength MQW on relaxed thick InGaN

〇Naoya Iwasaki¹, Yuki Inomata², Rei Kawamura², Narihito Okada², Satoshi Kurai², Yoichi Yamada², Kazuyuki Tadatomo² (1.Department of Eng., Yamaguchi Univ., 2.Grad. School of Sci. & Eng. for Innovation, Yamaguchi Univ.)

Keywords:InGaN, MQW

可視光InGaN-LEDの下地層にはGaNが一般的に用いられている。しかし、発光波長が長波長になるにつれ、発光層のInGaNとGaNとの格子定数差が大きくなりInGaN層のミスフィット転位の増加や量子閉じ込めシュタルク効果（QCSE）の影響の増加により、LEDの発光効率は低下する。高品質なInGaN下地層が実現できれば、上記の格子定数差は小さくなり、ミスフィット転位の減少およびQCSEの低減等が期待される。更に様々なアプリケーションへの応用が期待できる。我々はファセット成長を使ったInGaN下地層の高品質化の検討を行っている。これまでに我々は作製したInGaN下地層のMQW(多重量子井戸層)の成長ではGaN上のものと比較して長波長化かつ強度が改善を報告してきた。そこで今回はMQWの条件を変えることにより長波長化の検討を行ったので報告する。