[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-13] Hf堆積後成膜によるGeO₂/Ge構造作製の検討

〇堀口 遥¹、上野 智雄¹、岩崎 好孝¹、飯野 寛貴¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体、Ge