[15a-A305-1~13] 13.3 Insulator technology

[15a-A305-9] Potential modulation observed from ALD-ZrO₂/TiO₂/SiO₂ MOS structures

〇Shutaro Asanuma¹, Kyoko Sumita¹, Yusuke Miyaguchi², Kazumasa Horita², Takehito Jimbo², Kazuya Saito², Noriyuki Miyata¹ (1.AIST, 2.ULVAC)

Keywords:interface dipole modulation, ZrO2, ALD

HfO₂/SiO₂ MOS構造を用いた新しいメモリ機構として界面ダイポール変調 (IDM) が提案されている。IDM動作は、EB蒸着法やALD法で形成したHfO₂/SiO₂ 積層構造から観察されており、HfO₂/SiO₂界面に導入した変調層近傍で起こる構造変化がポテンシャル変化を引き起こしていると考えられている。本研究では、ZrO₂/SiO₂積層構造におけるIDM動作の可能性を検討した。