[15a-A404-1~11] 17.3 Layered materials

△ [15a-A404-11] Carrier distribution imaging of mechanically exfoliated WSe₂/SiO₂ and suspended WSe₂ using scanning nonlinear dielectric microscopy

〇Koki Takano¹, Kohei Yamasue¹, Toshiaki Kato², Toshiro Kaneko², Yasuo Cho¹ (1.RIEC, Tohoku Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor, layered semiconductor, SNDM

層状半導体は厚さが原子オーダと非常に薄いため，その電気特性は基板などとの界面の影響を受けやすい．これらの影響を抑制するため，基板から層状半導体を浮かせた架橋型構造にすることが有効であると期待される．そこで本研究では，スコッチテープ法によりSiO₂/Si基板に転写されたWSe₂と架橋型WSe₂の2つの試料のキャリア分布とその直流バイアス依存性を走査型非線形誘電率顕微(SNDM)を用いて評価比較した．