[15a-A404-1~11] 17.3 層状物質

△ [15a-A404-11] 走査型非線形誘電率顕微鏡による機械剥離WSe₂/SiO₂と架橋型WSe₂のキャリア分布の観察

〇高野 幸喜¹、山末 耕平¹、加藤 俊顕²、金子 俊郎²、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.東北大院工)

キーワード：半導体、層状半導体、SNDM

層状半導体は厚さが原子オーダと非常に薄いため，その電気特性は基板などとの界面の影響を受けやすい．これらの影響を抑制するため，基板から層状半導体を浮かせた架橋型構造にすることが有効であると期待される．そこで本研究では，スコッチテープ法によりSiO₂/Si基板に転写されたWSe₂と架橋型WSe₂の2つの試料のキャリア分布とその直流バイアス依存性を走査型非線形誘電率顕微(SNDM)を用いて評価比較した．