[15a-A404-1~11] 17.3 Layered materials

△ [15a-A404-7] MBE growth of layered group-3 monochalcogenide thin films with non-prismatic monolayer structure

〇Takahiro Yonezawa¹, Tatsuya Murakami¹, Koichi Higashimine¹, Tongmin Chen¹, Hirokazu Nitta¹, Raiya Kuze¹, Antoine Fleurence¹, Yoshifumi Oshima¹, Yukiko Yamada-Takamura¹ (1.JAIST)

Keywords:STEM, GaSe, InSe

GaSeやInSeはそれぞれ約2 eVと約1.3eVのバンドギャップを有する半導体層状物質で光・電子デバイスへの応用が期待される。これらは三角柱状の単位層が積層した結晶構造を有すると報告されてきたが、最近になって、MBE法による薄膜成長時に非柱状単位層が局所析出することが断面走査透過電子顕微鏡(STEM)観察より判明した。本発表では原子分解能STEMを駆使した非柱状GaSe相および非柱状InSe相の成長条件および基板種依存性の研究結果を紹介する。