[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[15a-B508-4] トレンチ埋め込み成長を用いたSi上Ge受光器の作製と評価

〇(M1)本村 一輝¹、園井 柊平¹、橘 茉優¹、Moïse Sotto¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：ゲルマニウム、受光器、トレンチ埋め込み成長

化学気相堆積法によりSi上に選択成長したGeは、側壁が傾斜した台形状のメサ構造となる。光を上面から入射するフリースペースGe受光器に応用すると、素子の占有面積よりも受光面積を小さくせざるを得ない。本稿では、Si基板上に形成したトレンチへの埋め込み成長を用い、垂直な側壁を有するGe受光器を作製、評価した。メサ構造に比べて大きな暗電流を示したが、成長後熱処理によってメサ構造と同様の暗電流密度まで低減できた。