[15a-D215-1~12] 7.2 Applications and technologies of electron beams

[15a-D215-11] Dependence of quantum efficiency on InGaN thickness in InGaN photocathode

〇(D)Daiki Sato^1,2, Anna Honda², Atsushi Koizumi², Tomohiro Nishitani^2,3, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³ (1.Nagoya Univ., 2.Photo electron Soul, 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:Negative electron affinity, Photocathode, Electron beam

本研究ではInGaN膜厚に対するInGaNフォトカソードの量子効率(QE)の依存性が明らかにされた。膜厚70, 100, 240 nmを有する3つのサンプルを作製した。励起光をサンプルの表裏(Front, Back)から照射しそれぞれのQEを測定した。膜厚70, 100, 240 nmの裏面照射におけるQEは、それぞれ7.5, 9.8, 0.9%であった。膜厚240nmのQEが他に比べて低い値を示したのは、InGaN膜厚の増加により格子が緩和されることで欠陥が増大し、励起された電子の拡散長が短くなったためと考えられる。