[15a-D215-1~12] 7.2 電子ビーム応用

[15a-D215-8] グラフェン/n型ダイヤモンド構造の電界電子放出分光特性

〇増澤 智昭¹、岡野 健³、三村 秀典¹、山田 貴壽² (1.静岡大、2.産総研、3.国際基督教大)

キーワード：グラフェン、リン添加ダイヤモンド、電界電子放出

本研究では、高濃度リン添加ダイヤモンド表面にグラフェンを形成し、電界電子放出による放出電子のエネルギー分布(FES)を測定した。また、紫外線光電子分光法によりグラフェン/リン添加ダイヤモンド構造のバンド構造を推定した。これらの結果から、低電圧ではグラフェンのフェルミレベル近傍からの放出電子が観測され、高電圧ではダイヤモンドの価電子帯からの電子が観測されることが示唆された。