[15a-D311-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-D311-3] VO₂モットトランジスタにおける超急峻ゲート変調の起源

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、田中 貴久¹、内田 建¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：電界効果、金属絶縁体転移、ジュール熱

VO₂の金属絶縁体転移をゲート電圧で誘起するモットトランジスタにおいて、ゲート電圧と独立にドレイン電圧を印加することで、転移が劇的に急峻化することを実験的に見出した。デバイスシミュレーションの結果、ゲート電圧による電子蓄積が相転移を引き起こすのに対し、ドレイン電圧が転移の最中に加速的にジュール熱を発生し転移を急峻化するという、3端子デバイスならではの現象であることを明らかにした。