[15a-D411-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D411-4] 一方向性凝固法を用いたシリコン単結晶成長におけるリン濃度分布の数値解析

〇中野 智¹、劉 鑫¹、韓 学峰¹、柿本 浩一¹ (1.九大応力研)

キーワード：ドーパント、一方向性凝固法

シリコン結晶成長時に添加する不純物は、通常p型にはボロンを、n型にはリンを用いる。これら不純物の結晶への導入は、偏析現象に依存する。ボロン、リンの偏析係数は小さく、結晶中濃度分布は不均一になるが、不均一な濃度分布は抵抗率に影響する。本研究では、数値計算を用いて、シリコン結晶成長過程における融液表面からのリンの蒸発フラックスと結晶中リン濃度分布との関係について解析を行った。