The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D411-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

Sun. Mar 15, 2020 9:00 AM - 12:00 PM D411 (11-411)

Hiroaki Kariyazaki(GWJ), Toshinori Taishi(Shinshu Univ.), Takuo Sasaki(QST)

10:15 AM - 10:30 AM

[15a-D411-5] Atomistic picture of SiO2/Si interface described by Hakoniwa method

〇Eiji Kamiyama1,2, Koji Sueoka2 (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:SiO2/Si interface, Gettering, Hakoniwa method

SiO2/Si界面はデバイス中，トランジスタのゲート部や，デバイスのパシベーション・アイソレーション，Si基板内のゲッタリングサイトとしてのBMD（Bulk Micro Defect）など，多岐に渡って活用されている．本発表では，前報1で考察した同界面の物性を手掛かりに，SiO2/Si界面近傍における原子レベルの構造を理論的に予測する手法について述べる．