[15a-D411-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15a-D411-9] 照射誘起欠陥を含むSi結晶の発光再結合機構

〇朝原 将太¹、田島 道夫²、佐竹 雄太¹、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大学再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：フォトルミネッセンス、照射欠陥、発光再結合機構

高効率Si結晶太陽電池やIGBTなどの先端Siデバイスの高性能化に向けてフォトルミネッセンス(PL)法による微量炭素不純物の定量は欠かせない技術である。これまでPL過程において、バンド端発光強度Iと励起光強度LはI ∝Lⁿという関係があり、べき指数nの値は、試料温度、ドーパント濃度によりn=1~2となることが知られている。本講演ではn>2となる特異な現象を発見し、それが照射欠陥を含む発光再結合機構で説明できることを報告する。