[15a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[15a-D419-1] スパッタ法におけるPZT薄膜の成長機構の検討

〇村瀬 幹生¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：強誘電体、PZT

スパッタ法は大面積・高速・均一な製膜が可能という特徴を有しており、圧電MEMSデバイスにおいて広く用いられているPb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜の作製でもよく採用される[1]。良質な薄膜を得るためには多くの製膜パラメータを最適化する必要があるが、PZTの製膜における体系化された研究報告は少ない。本研究では製膜パラメータの中で特に重要と考えられる成長温度とPb供給量に着目して、PZTの結晶成長との関係について調べた。