[15a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15a-D419-4] Si基板上エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の結晶構造と圧電特性の評価

〇譚 ゴオン¹、Kim Eun-Ji²、Kweon Sang-Hyo¹、小金澤 智之³、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.Korea University、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：エピタキシャル圧電薄膜、XRDその場観察、圧電評価

Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)薄膜は強誘電体の中で特に圧電特性が優れており、様々なデバイスへの応用が期待されている。PZT薄膜の圧電特性向上には、結晶構造と圧電特性との関係を明らかにする必要がある。本研究は、Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜に対して結晶構造解析および圧電特性の評価を行った。特に、放射光施設（SPring-8）のシンクロトロン放射光を用いて、DC電圧を印加した状態でX線回折測定を行った。