[15a-D419-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[15a-D419-9] Composition dependence of crystal structure and piezoelectric properties of epitaxial (K, Na)NbO₃ thin films grown on Si substrates

〇Yoshikazu Sai¹, Takuya Fujita¹, Tan Goon¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:piezoelectric thin film, lead free

(K,Na)NbO3 (KNN)は，高い圧電性とキュリー点を示すことから，非鉛圧電薄膜材料の有力候補として注目されている．従来の研究より，高い圧電性を得るためには，結晶配向性および組成を最適化させる必要がある．我々はこれまでに，Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャ ル成長させることに成功した．本研究では，このK/Na組成の異なるKNN薄膜を作製し，その結晶構造および電気・圧電特性の評価を行った．