[15a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[15a-D419-9] Si 基板上エピタキシャル(K, Na)NbO₃薄膜の結晶構造および圧電特性の組成依存性

〇蔡 慶政¹、藤田 卓也¹、譚 賡¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：圧電薄膜、非鉛

(K,Na)NbO3 (KNN)は，高い圧電性とキュリー点を示すことから，非鉛圧電薄膜材料の有力候補として注目されている．従来の研究より，高い圧電性を得るためには，結晶配向性および組成を最適化させる必要がある．我々はこれまでに，Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャ ル成長させることに成功した．本研究では，このK/Na組成の異なるKNN薄膜を作製し，その結晶構造および電気・圧電特性の評価を行った．