[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15a-PA5-10] ミストCVD法による準安定相rh-ITO薄膜のエピタキシャル成長と評価

〇(M1)島添 和樹¹、西中 浩之¹、田原 大祐¹、新田 悠汰¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：ITO、酸化インジウム、ミストCVD法

透明導電膜として最も用いられているITOの準安定相であるrh-ITOは合成に高温高圧が必要なため、薄膜での成長の報告はほとんどなされていない。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、種々の面方位のrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長を行い、その錫添加による物性の変化を調査した。その結果、rh-ITOは従来から用いられている最安定相のbcc-ITO単結晶と同等の物性を有することが示唆された。