[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-PA5-11] Anneal Effect on PL of ZnO Nanorods Prepared by Electrochemical Deposition

〇(B)Yuki Goto¹, Satoru Suzuki¹ (1.N.I.T. Kisarazu Col.)

Keywords:Zinc oxide, Photoluminescence, Annealing

電気化学堆積したZnOナノロッドのPLスペクトルに対するアニールによる影響を調査した．アニール温度は，150 °C，200 °C，300 °C，400 °C，500 °Cに設定し空気中で1時間アニールした．アニール温度300 °Cのとき，380 nm付近の紫外発光の強度が大きく増加し，ピーク波長が10 nmほど長波長側にシフトしていることが確認できた． また，400 °Cを超えると紫外発光は消滅し深い準位からの660 nm付近にピークを持つ赤い発光が確認できた．