[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15a-PA5-17] Self-Trapped Holes in Gallium Oxide Polymorphs from First Principles

〇(M2)Tomoya Gake¹, Yu Kumagai¹, Fumiyasu Oba¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:gallium oxide, self-trapped holes, first-principles calculation

β-Ga₂O₃は広いバンドギャップとn型伝導性のため、パワーデバイスや深紫外透明伝導体への応用が期待されている。一方でp型β-Ga₂O₃の実現は、自己束縛正孔の形成により困難であるという理論的検討がある。Ga₂O₃にはいくつかの準安定相が存在するが、その基礎特性に関する実験的、理論的報告は限られている。そこで本研究では、Ga₂O₃の４つの多形 (α, β, δ 及び ε相) に着目して、自己束縛正孔の安定性とp型実現性を第一原理計算により調査する。