[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-19] ミストCVD法によるβ-Ga₂O₃(-201)基板上へのε-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇梶田 優気¹、西中 浩之¹、田原 大祐¹、新田 悠汰¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：ミストCVD法、ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム