9:30 AM - 11:30 AM
[15a-PA5-20] Fabrication of 4-inch β-Ga2O3 Bulk Substrates and Homoepitaxial Films by EFG and HVPE Methods
Keywords:Ga2O3, Edge-defined Film-fed Growth method, halide vapor phase epitaxy
我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth 法(EFG 法)による 4 インチ径の単結晶β-Ga2O3バルク基板およびハライド 気相成長法(HVPE 法)による 2 インチ径のホモエピウエハの作製技術が開発されている。今回は 4 インチバルク基板における結晶品質の改善とその上のホモエピタキシャル成長に成功し たので報告する。