[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-20] EFG 法と HVPE 法を用いた４インチ β-Ga₂O₃結晶のバルク育成とホモエピタキシャル成長

〇林 家弘¹、ティユ クァントゥ¹、リンガパルティ ラヴィキラン¹、タンガラジャ アムタ¹、内田 悠貴¹、大塚 文雄¹、輿 公祥¹、渡辺 信也¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、Edge-defined Film-fed Growth 法、ハライド気相成長法

我々のグループでは、Edge-defined Film-fed Growth 法（EFG 法）による 4 インチ径の単結晶β-Ga₂O₃バルク基板およびハライド 気相成長法（HVPE 法）による 2 インチ径のホモエピウエハの作製技術が開発されている。今回は 4 インチバルク基板における結晶品質の改善とその上のホモエピタキシャル成長に成功し たので報告する。