[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-3] 修飾ゲート絶縁膜表面の濡れ性がアモルファスIn₂O₃TFTの電気的特性に及ぼす影響

〇(B)佐々木 啓介¹、中村 圭佑¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ