[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-PA5-4] Growth partial pressure dependences and heat treatment effects on PLD growth of Al-doped ZnO thin films

〇(M1)Toshihiro Kumatani¹, Kazuyori Oura¹, Hideo Wada¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:AZO, PLD, Flexible

近年，透明でかつフレキシブルなデバイスへの応用が求められており，ZnOなどの様々な酸化物材料を用いた研究が進展している．AZOはAlの添加量に応じて抵抗率が大きく変化することでTFTにおけるチャネル材料として応用可能である．今回，我々はAZOを用い，薄膜成長時の酸素分圧を変えて作製した膜および熱処理効果を行った膜の評価，そしてフレキシブル基板に展開してTFTを作製して特性を調べたので，それらの結果について報告する．