[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-9] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (4)

〇村中 司¹、山崎 知夢¹、佐藤 陽平¹、中田 耕輔¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：酸化亜鉛、透明導電膜、フレキシブル

I-VI族化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)は、3.37 eVと広いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。また、キャリア密度が高いため、抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回は、PET基板に形成したGZO透明導電膜の曲げ変形に伴う電気抵抗の変化を調査した結果について報告する。